A través de su cuenta en Twitter de semiconductores, Samsung presentó la versión 4.0 del Universal Flash Storage o UFS, se trata de la memoria interna en la que los dispositivos actuales almacenan los datos. Esta nueva versión permitirá un consumo más eficiente de energía y alcanzará sorprendentes velocidades si se las compara con su predecesor el UFS 3.1. Las velocidades que permitirá son de hasta 4200 MB/S en lectura y 2800 MB/S en escritura.
Probablemente, esta nueva tecnología, la veremos en las próximas series Galaxy S23, si es que no nos dan una sorpresa antes o que algún competidor la estrene primero.
Rendimiento y eficiencia
Hablando del rendimiento de esta nueva versión del UFS 4.0 es de casi el doble con respecto al UFS 3.1, ya que por cada línea llega hasta los 23,2 Gbps. por cada línea, doblando la velocidad de UFS 3.1.
En cuanto a la memoria V-NAND de 7th Gen, el UFS 4.0 de Samsung permite velocidades de lectura de hasta 4.200 MB/s y de escritura de hasta 2.800 MB/s en la modalidad secuencial de acceso.
Rendieminto y eficiencia van de la mano y en este caso las cifras muestran 6 MB/s por mA, que representa una mejora del 46% frente a UFS 3.1.
El tamaño del UFS 4.0 es de hasta 1 TB y la producción comenzará según lo planeado en el tercer trimestre del año 2022. Estas velocidades permitirán la nueva generación de aplicaciones en el campo de la realidad aumentada y la realidad virtual.
